5月14日，自然的性质发布了Zhang guangyu团队的最新结果，该团队的研究人员是Sonsshan Lake Materials Laboratory的研究人员。为了支持国家密钥研发计划，国家自然科学基金会和其他项目，他们研究并实现了晶圆级单层莫利列姆二硫化物膜的高质量转移。 ？二维半导体具有严重的身体厚度。作为晶体管通道材料，它们可以有效防止在未来的亚纳米技术节点中制造综合电路中该通道和基本材料候选者的短暂影响。目前，可用于大尺寸设备集成的二维半导体材料的最高质量是外延的二维半导体晶圆。但是，在设备的实际处理过程中，需要将外延二维半导体转移到适合设备处理的基板上。如何移动二线从其底物生长到目标底物，并保持表/界面的结构是确保设备性能的主要链接，并且是未来大规模生产二维半导体设备的大规模质量生产的重要性。在过去报道的二维材料的技术中，无论是湿转移还是干转移，它们都面临基本的技术瓶颈，并且很难实现高质量，清洁和完整的晶圆级二维半导体薄膜移动到目标底物。以常用的湿转移为例，通常需要使用牺牲（例如PMMA等）来剥离二维材料并使用化学蚀刻过程，这很容易导致膜的结构损害和不完整的过渡，并且在解决方案过程中带来表面污染/接口等问题。虽然研究人员开发了基于金属粘附层（例如金，银和镍）以及聚丙烯碳酸盐，热释放胶带和紫外线固化胶带辅助介质的干燥传输技术，这些方法仍然依赖化学过程或金属去除过程材料。因此，表面污染问题没有开始解决，这严重阻止了进一步改善设备的性能。 ？ ReTurnik的团队是创新的，提出了一种新的方法，可以随着中等移动的方式转移具有低点金属熔点的二维半导体膜，成功地实现了晶圆级单层二硫化物二硫化物膜的高质量转移。可以通过物理热量和蒸发完全去除金属的低中等转移，而无需在二硫化钼上残留。移动的膜具有几乎100％的膜完整性和表面卫生/界面。与传统转移技术相比由低溶剂金属获得的二硫化膜得到了干燥转移的辅助膜，并且基于这种偏移方法开发的田间晶体管和逻辑电路的影响都显示出很大的电性能。相应的二硫化物场效应晶体管的迁移率和电流比分别可以达到71.3 cm2·V-1·S-1和2.7×1010。该研究的创新结果为大型二维半导体薄膜提供了新的技术途径，这对于促进高性能二维半导体设备的发展至关重要。预计将来将在二维半导体制造领域广泛使用相关技术。相关论文信息：https：//dii.org/10.1038/s41467-025-59803-1小编：5月14日，自然的性质发布了Zhang guangyu团队的最新结果，该团队的研究人员是Sonsshan Lake Materials Laboratory的研究人员。在国家关键研究与发展计划中
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